직무 · SK하이닉스 / 공정기술
양산기술 지원하려는데 경험기술서의 직무 경험 기술에 반도체 패키징 교육과 관련된 내용을 작성해도 괜찮을까요? p&t가 아닌 그냥 양산기술이라 크게 관련이 없을거 같아 질문드립니다.
2025.03.25
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안녕하세요. sk하이닉스에 지원하고자 하는 석사 졸업 예정 학생입니다. 저는 석사 시절 고분자 포토레지스트 소재 (CAR) 개발, 에폭시 경화제 개발 및 경화거동에 대한 머신러닝 연구를 주로 진행했습니다. 소재 합성부터 박막 분석 관련해서 경험이 있습니다. 고민하고 있는 직무는 기반기술과 R&D 공정 두가지인데요, 몇 가지 궁금한 점이 있어서 글을 올리게 되었습니다. 1. 두 직무 모두 포토공정에 관한 내용이 있는데 어떤 직무가 더 적합할지 고민입니다. 2. 머신러닝 연구 경험이 큰 강점이 될 수 있을지 고민입니다. (논문 투고 예정입니다) 3. 기반기술의 경우 청주와 이천 모두 있는데, 경쟁률의 차이가 많이 날 지 궁금합니다.
안녕하세요 재료화학공학과 학생입니다. 4-2학기 반도체 후공정 현장실습 기회가 생겼는데, 좋은 기회이긴 하지만 이 길로 한번 들어가면 계속 후공정으로만 직무가 고정이 될 것 같아 걱정이 됩니다. 개인적으로 희망하는 직무는 전공정 계열이라 후공정 실습 경험을 통해 전공정 직무 신입 지원 시에 메리트가 있는지 혹은 해당 경험으로 후공정 회사로 입사해서 전공정 직무로 이직 가능성이 얼마나 되는지 궁금합니다.
Etch 실습을 진행했는데 현업에서 사용하는 용어가 어떤지 궁금해서 여쭤보려고 합니다. PR/SiO2/Si 의 순서의 L/S 패턴을 식각했습니다. SiO2는 충분히 많이 형성된 상태라 Si substrate이 드러나지 않는 두께입니다. (BARC etch 내용은 관련이 적어서 생략하겠습니다.) SiO2 etch를 진행 후 PR strip 및 ashing없이 FE-SEM으로 단면을 촬영했습니다. 공정 결과물을 분석할 때 Space CD 부분의 Top CD(PR하단이자 SiO2 최상단의 Space 사이 거리)와 Bottom CD (최하단 SiO2의 사이 거리)를 측정해서 둘의 차이(Bottom CD < Top CD)를 어떤 의미로 불러야 정확할지 궁금합니다. Top CD를 ADI CD에 거의 근접하긴 하나, ADI CD는 PR 상단부의 CD를 말하는 것 같아 부정확한 것 같습니다. ACI CD라기엔 PR 제거를 안해서 정확하지 않은 거 같습니다. 그림이 첨부가 안되네요 죄송합니다.
안녕하세요. sk하이닉스에 지원하고자 하는 석사 졸업 예정 학생입니다. 저는 석사 시절 고분자 포토레지스트 소재 (CAR) 개발, 에폭시 경화제 개발 및 경화거동에 대한 머신러닝 연구를 주로 진행했습니다. 소재 합성부터 박막 분석 관련해서 경험이 있습니다. 고민하고 있는 직무는 기반기술과 R&D 공정 두가지인데요, 몇 가지 궁금한 점이 있어서 글을 올리게 되었습니다. 1. 두 직무 모두 포토공정에 관한 내용이 있는데 어떤 직무가 더 적합할지 고민입니다. 2. 머신러닝 연구 경험이 큰 강점이 될 수 있을지 고민입니다. (논문 투고 예정입니다) 3. 기반기술의 경우 청주와 이천 모두 있는데, 경쟁률의 차이가 많이 날 지 궁금합니다.
안녕하세요 재료화학공학과 학생입니다. 4-2학기 반도체 후공정 현장실습 기회가 생겼는데, 좋은 기회이긴 하지만 이 길로 한번 들어가면 계속 후공정으로만 직무가 고정이 될 것 같아 걱정이 됩니다. 개인적으로 희망하는 직무는 전공정 계열이라 후공정 실습 경험을 통해 전공정 직무 신입 지원 시에 메리트가 있는지 혹은 해당 경험으로 후공정 회사로 입사해서 전공정 직무로 이직 가능성이 얼마나 되는지 궁금합니다.
Etch 실습을 진행했는데 현업에서 사용하는 용어가 어떤지 궁금해서 여쭤보려고 합니다. PR/SiO2/Si 의 순서의 L/S 패턴을 식각했습니다. SiO2는 충분히 많이 형성된 상태라 Si substrate이 드러나지 않는 두께입니다. (BARC etch 내용은 관련이 적어서 생략하겠습니다.) SiO2 etch를 진행 후 PR strip 및 ashing없이 FE-SEM으로 단면을 촬영했습니다. 공정 결과물을 분석할 때 Space CD 부분의 Top CD(PR하단이자 SiO2 최상단의 Space 사이 거리)와 Bottom CD (최하단 SiO2의 사이 거리)를 측정해서 둘의 차이(Bottom CD < Top CD)를 어떤 의미로 불러야 정확할지 궁금합니다. Top CD를 ADI CD에 거의 근접하긴 하나, ADI CD는 PR 상단부의 CD를 말하는 것 같아 부정확한 것 같습니다. ACI CD라기엔 PR 제거를 안해서 정확하지 않은 거 같습니다. 그림이 첨부가 안되네요 죄송합니다.
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